距离正式落户江阴不到半年时间，位于霞客湾创智园的江苏通用半导体有限公司就迎来了技术新突破——自研设备8英寸碳化硅晶锭激光剥离设备正式交付碳化硅衬底生产头部企业广州南砂晶圆半导体技术有限公司，并投入生产。“与传统的线切割工艺相比，大幅降低了产品损耗，而设备售价仅仅是国外同类产品的三分之一，属于国内首套。”董事长陶为银介绍。
以激光为“刀”，向内“刻”出新质生产力。通用半导体的发展历程由一场又一场激光微纳加工领域的技术升维战串联而成：2020年，企业研发出国内首台半导体激光隐形切割机；2022年，成功推出国内首台18纳米及以下SDBG激光隐切设备；2023年，成功研发国内首台8英寸全自动SiC晶锭激光剥离产线；2024年，研制成功SDTT激光隐切设备……
“这个就是射频芯片，切割要求是在6微米以内，相当于人类头发丝的二十分之一。”在展厅内，陶为银亮出了利用企业最新技术切割出的产品，并用手机放大后细细介绍，“传统砂轮切割的‘刀’是砂轮，最薄也只能做到40微米，激光切割的‘刀’是光斑，通用可以做到0.5微米，完全可以轻松驾驭6微米以内的精度要求。”目前，江苏通用的激光隐形切割设备已获发明专利56件，实用新型专利226件。
碳化硅功率器件因其独特的性能成为大功率半导体市场的“香饽饽”。然而，由于其硬度高、脆性高，使用传统线切工艺切割、剥离碳化硅晶锭时，效率过低、损耗过高，导致衬底产能严重不足，生产成本居高不下。陶为银介绍，早在一年多前，企业就把目光投向该领域，终于在今年7月，利用自主研发的碳化硅晶锭激光剥离设备，成功剥离出厚度仅为130微米的超薄碳化硅晶圆片。
向技术工艺高峰不断攀登让江苏通用向“新”而行。“与线切一片需要2个多小时相比，我们的速度和良品率有了飞跃，极大地降低碳化硅衬底的生产成本。”但陶为银并未止步于此，而是在设备的自动化上下功夫，碳化硅晶锭激光剥离设备实现了6英寸和8英寸晶锭的全自动分片，“晶锭上料、晶锭研磨、激光切割、晶片分离和晶片收集都由机器完成，去年我们剥离一片是30分钟，今年是20分钟。”
随着一个接一个自研新设备陆续推向市场，通用半导体到明年的订单都已饱和。“总部搬到江阴后，占比近40%的研发人员也转战江阴。”陶为银介绍，创智园内的全部产线投入生产并把设备推向市场后，预计每年可剥离碳化硅衬底2万片。就在距离园区数百米处，一片50亩熟地已准备就绪。陶为银透露，通用半导体将进一步加快产业化进程。
